Samsung está preparando una nueva generación de módulos de memoria V-NAND que pretenden mejorar las capacidades de almacenamiento. 1d696u
Las próximas memorias flash para el almacenamiento en estado sólido, V-NAND, se están anunciado con unas 400 capas, utilizando una unión vertical con el que están convencidos que podrán aumentar las capacidades de almacenamiento, con la idea de llegar en un futuro hasta las 1000 capas.
Estas nuevas memorias V-NAND de décima generación están pensadas para que estén en el año 2026, que estará superando a la actual novena generación, que cuenta con unas 280 capas. De ser cierta esta información, hablamos de más del 40% en el número de capas, que sería uno de los saltos más grandes visto de una generación a la otra, ya que el salto desde la octava generación fue de 236 capas hasta las 280 capas de la novena generación.
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Lograr tales cantidades de capas sería posible mediante una nueva tecnología llamada NAND Bonding Vertical (BV). Esta tecnología será una evolución del actual CoP (Circuit on Periphery). El diseño CoP tiene los circuitos periféricos en la parte superior de la pila de memoria, mientras que el método de unión vertical comenzará con la fabricación separada de los circuitos de almacenamiento y periféricos, seguida de la unión vertical.
La idea es que con esta nueva tecnología se alcancen las 1000 capas, aunque esto se implementara para después de 2027, perteneciendo a la 11ª generación.
Como podemos ver, la idea es que los SSD y todos los productos de almacenamiento sólido aumenten su capacidad y se abaraten costes.
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